| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | DMN3015LSD-13 |
| 说明 | 功率MOSFET SO |
| 品牌 | Diodes(达尔（美台）) |
| 起订量 | 2500 |
| 最小包 | 2500 |
| 现货 | 5240 [库存更新时间：2025-04-03] |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ@12A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25.1nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1415pF @ 15V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.2W |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SO |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 8.4A |
| FET类型 | 2N-Channel |
| 系列 | DMN3015 |
| 通道数量 | 2Channel |
| 配置 | Dual |
IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
芯普拉斯产品中心
productsDMN3015LSD-13
咨询热线：13172425630
产品概述
相关产品