参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	DMN26D0UDJ-7
说明	小信号MOSFET   SOT-963
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	10000
最小包	10000
现货	20267 [库存更新时间：2025-11-23]
系列	DMN
下降时间	15.2 ns, 15.2 ns
典型接通延迟时间	3.8 ns, 3.8 ns
上升时间	7.9 ns, 7.9 ns
通道数量	2 Channel
栅极电压Vgs	450mV,450mV
典型关闭延迟时间	13.4 ns, 13.4 ns
正向跨导-最小值	180 mS, 180 mS
Rds On(Max)@Id,Vgs	3Ω@100mA,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.05V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	14.1pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	300mW
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-963
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	0.24A