参数 | 值 |
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产品 | 小信号MOSFET |
型号编码 | DMN26D0UDJ-7 |
说明 | 小信号MOSFET SOT-963 |
品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 202 [库存更新时间:2025-04-02] |
系列 | DMN |
下降时间 | 15.2 ns, 15.2 ns |
典型接通延迟时间 | 3.8 ns, 3.8 ns |
上升时间 | 7.9 ns, 7.9 ns |
通道数量 | 2 Channel |
栅极电压Vgs | 450mV,450mV |
典型关闭延迟时间 | 13.4 ns, 13.4 ns |
正向跨导-最小值 | 180 mS, 180 mS |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 3Ω@100mA,4.5V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.05V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 14.1pF @ 15V |
Pd-功率耗散(Max) | 300mW |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | SOT-963 |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 20V |
连续漏极电流Id | 0.24A |