参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	DMN2600UFB-7
说明	通用MOSFET   3-uFDFN DFN
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	0
最小包	0
现货	185 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	1.3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	0.85nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	70.13pF @ 15V
栅极电压Vgs	±8V
Pd-功率耗散(Max)	540mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	350m Ohms@200mA,4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	3-uFDFN
封装/外壳	DFN
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	25V
连续漏极电流Id	1.3A