型号参数与资料
- 型号
- DMN2014LHAB-7
- 品牌
- Diodes(达尔（美台）)
- 类别
- 小信号MOSFET
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 13mΩ@4A,4.5V |
|---|---|
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 16nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1550pF @ 10V |
| Pd-功率耗散(Max) | 800mW |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | UDFN |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 9A |
小信号MOSFET UDFN
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
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