参数 | 值 |
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产品 | 小信号MOSFET |
型号编码 | DMN2014LHAB-7n: |
说明 | 小信号MOSFET UDFN |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 395 [库存更新时间:2025-04-02] |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 13mΩ@4A,4.5V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1550pF @ 10V |
Pd-功率耗散(Max) | 800mW |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | UDFN |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 20V |
连续漏极电流Id | 9A |