| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | MOSFET |
| 型号编码 | DMN1019UVT-13 |
| 说明 | MOSFET TSOT-23 |
| 起订量 | 10 |
| 最小包 | 10 |
| 现货 | 474 [库存更新时间：2025-04-05] |
| FET类型 | N-Channel |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.73W(Ta) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 10mΩ@9.7A,4.5V |
| 栅极电压Vgs | ±8V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2588 pF @ 10 V |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 50.4 nC @ 8 V |
| 封装/外壳 | TSOT-23 |
| 工作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
| 漏源极电压Vds | 12V |
| 连续漏极电流Id | 10.7A(Ta) |
| 驱动电压 | 1.2V,4.5V |
IC普拉斯 元器件现货
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