参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	DMG4435SSS-13n:
说明	功率MOSFET   SO-8
起订量	0
最小包	0
现货	395 [库存更新时间：2024-05-05]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	5V,20V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	35.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1614pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C
封装/外壳	SO-8
连续漏极电流Id	7.3A
Pd-功率耗散(Max)	2.5W
Qg-栅极电荷	35.4nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	16mΩ@11A,20V
漏源极电压Vds	30V
栅极电压Vgs	±25V
上升时间	12.7ns
下降时间	22.8ns
典型关闭延迟时间	44.9ns
典型接通延迟时间	8.6ns
正向跨导 - 最小值	22S
系列	DMG4435
FET类型	P-Channel