| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 集成电路(芯片) |
| 型号编码 | DGD0507FN-7 |
| 说明 | 集成电路(芯片) W-DFN3030-10 |
| 品牌 | Diodes(达尔（美台）) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 201 [库存更新时间：2025-11-29] |
| 驱动配置 | 半桥 |
| FET类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压-电源 | 8 V ~ 14 V |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 1V,2.5V |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 1.5A,2.5A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 50V |
| 上升/下降时间（典型值） | 17ns,13ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | W-DFN3030-10 |
IC普拉斯 元器件现货
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productsDGD0507FN-7
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