参数 | 值 |
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产品 | 集成电路(芯片) |
型号编码 | DGD0506FN-7 |
说明 | 集成电路(芯片) W-DFN3030-10 |
品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6209 [库存更新时间:2025-04-02] |
驱动配置 | 半桥 |
FET类型 | 同步 |
驱动器数 | 2 |
栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
电压-电源 | 8 V ~ 14 V |
逻辑电压 -VIL,VIH | 1V,2.5V |
电流-峰值输出(灌入,拉出) | 1.5A,2.5A |
输入类型 | 非反相 |
高压侧电压-最大值(自举) | 50V |
上升/下降时间(典型值) | 17ns,12ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | W-DFN3030-10 |