参数	值
产品	未分类
型号编码	CSD22202W15
说明	未分类   9-uFBGA,DSBGA 9-DSBGA 9-uFBGA,DSBGA
品牌	TI(德州仪器)
起订量	1
最小包	3000
现货	18159 [库存更新时间：2025-11-17]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1390pF @ 4V
栅极电压Vgs	-6V
功率	1.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	12.2 毫欧 @ 2A、 4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	9-uFBGA,DSBGA
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	8V
连续漏极电流Id	10A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	8.4nC @ 4.5V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	8V
连续漏极电流Id	10A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	8.4nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	-6V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1390pF @ 4V
功率	1.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	12.2 毫欧 @ 2A、 4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	9-DSBGA
封装/外壳	9-uFBGA,DSBGA