参数	值
产品	未分类
型号编码	CSD23285F5
说明	未分类   3-XFDFN 3-PICOSTAR 3-XFDFN
品牌	TI(德州仪器)
起订量	1
最小包	3000
现货	5948 [库存更新时间：2025-11-16]
功率	500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	35 毫欧 @ 1A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	3-XFDFN
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	5.4A(Ta)
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	950mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	628pF @ 6V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	5.4A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	950mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4.2nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
栅极电压Vgs	-6V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	628pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	6V
功率	500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	35 毫欧 @ 1A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	3-PICOSTAR
封装/外壳	3-XFDFN