参数	值
产品	未分类
型号编码	NTMS4177PR2G
说明	未分类   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC
品牌	ON(安森美)
起订量	1
最小包	2500
现货	13613 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	6.6A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	55nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3100pF @ 24V
栅极电压Vgs	±20V
功率	840mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	12 毫欧 @ 11.4A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	SOIC
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	8.9A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3100pF @ 24V
Rds On(Max)@Id,Vgs	12 毫欧 @ 11.4A,10V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	6.6A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA