参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSZ22DN20NS3GATMA1
说明	功率MOSFET   8-PowerTDFN
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	5
最小包	5
现货	391 [库存更新时间：2024-04-22]
25°C时电流-连续漏极(Id)	7A(Tc)
FET类型	N 通道
Vgs(最大值)	±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	225 毫欧 @ 3.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	4V @ 13uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	430pF @ 100V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	5.6nC @ 10V
功率耗散(最大值)	34W(Tc)
封装/外壳	8-PowerTDFN
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)	200V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	10V