参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSZ165N04NSGATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8 TSDSON 3.4x3.4x1.1mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	8.9A(Ta),31A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	840pF @ 20V
Pd-功率耗散(Max)	2.1W(Ta),25W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	16.5 毫欧 @ 20A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TSDSON-8
封装/外壳	PG-TSDSON-8
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	31 A
漏源极电压Vds	40 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	16.5 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TSDSON
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
Pd-功率耗散(Max)	25W
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	630 pF @ 20 V
典型关断延迟时间	6.8 ns
典型接通延迟时间	5.4 ns
系列	OptiMOS 3
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
宽度	3.4mm
最高工作温度	+150 °C
高度	1.10mm
封装/外壳	3.4 x 3.4 x 1.1mm