参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSZ065N03LSATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TSDSON-8 TSDSON PG-TSDSON-8-FL
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2024-05-11]
系列	OptiMOS™
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	12A(Ta),40A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	670pF @ 15V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.1W(Ta),26W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.5m Ohms@20A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TSDSON-8
封装/外壳	TSDSON
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	12A
漏源极电压Vds	30V
封装/外壳	PG-TSDSON-8-FL
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V