参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSP299
说明	功率MOSFET   6.5mm SOT-223
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2286 [库存更新时间：2026-01-02]
通道数量	1Channel
配置	SingleDualDrain
Pd-功率耗散(Max)	1.8W
高度	1.6mm
长度	6.5mm
宽度	3.5mm
下降时间	15ns
上升时间	15ns
典型关闭延迟时间	55ns
典型接通延迟时间	8ns
Moisture Level	3
Rds On(Max)@Id,Vgs	4000mΩ
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	0.4A
封装/外壳	SOT-223
Budgetary Price €€/1k	0.28
Ptot max	1.8W
FET类型	N-Channel
Pin Count	4.0Pins
栅极电压Vgs	2.1V,4V
Mounting	SMD
Mode	Enhancement
Coss	40.0pF
Ciss	300.0 pF
工作温度	-55°C~150°C