参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSO612CVGHUMA1
说明	通用MOSFET   PG-DSO-8 PG-DSO-8 DSO 5x4x1.45mm 5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2
最小包	2
现货	384 [库存更新时间：2025-04-09]
FET类型	N+P-Channel
FET类型	标准
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	3A,2A
Rds On(Max)@Id,Vgs	120 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	340pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	2W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-DSO-8
封装/外壳	PG-DSO-8
FET类型	N,P
连续漏极电流Id	2 A、3 A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	120 m0hms,300 m0hms
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DSO
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	小信号
Pd-功率耗散(Max)	2W
封装/外壳	5 x 4 x 1.45mm
系列	SIPMOS
高度	1.45mm
宽度	4mm
最高工作温度	+150 °C
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	275 pF@ 25 V, 320 pF@ 25 V
典型关断延迟时间	25 ns, 145 ns
典型接通延迟时间	12 ns、15 ns
长度	5mm
最低工作温度	-55 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms