参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSO080P03SHXUMA1
说明	通用MOSFET   PG-DSO-8 DSO P-DSO-8
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	222 [库存更新时间：2025-04-03]
系列	OptiMOS™
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	12.6A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	136nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	5890pF @ 25V
栅极电压Vgs	±25V
Pd-功率耗散(Max)	1.79W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8m Ohms@14.9A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-DSO-8
封装/外壳	DSO
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	12.6A
漏源极电压Vds	30V
封装/外壳	P-DSO-8
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V