参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSO080P03NS3EGXUMA1
说明	通用MOSFET   PG-DSO-8 PG-DSO-8 DSO 5x4x1.65mm 5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	12A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.1V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	81nC @ 10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	6750pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	1.6W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8 毫欧 @ 14.8A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-DSO-8
封装/外壳	PG-DSO-8
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	14.8 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	11 m0hms
栅极电压Vgs	1.9V
最小栅阈值电压	3.1V
栅极电压Vgs	-25 V、+25 V
封装/外壳	DSO
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	2.5W
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
高度	1.65mm
正向跨导	44S
系列	OptiMOS 3
正向二极管电压	1.1V
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	4500 pF@ -15 V
典型关断延迟时间	64 ns
典型接通延迟时间	16 ns
宽度	4mm
封装/外壳	5 x 4 x 1.65mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	5mm