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    BSM50GB120DN2

    品牌:Infineon(英飞凌)

    产品:IGBT

    库存:137 Pcs [库存更新时间:2024-05-07]

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    产品概述
    参数
    产品IGBT
    型号编码BSM50GB120DN2
    说明IGBT   HalfBridge1 94mm
    品牌Infineon(英飞凌)
    起订量0
    最小包0
    现货137 [库存更新时间:2024-05-07]
    配置HalfBridge
    集电极—发射极最大电压 VCEO1200V
    集电极—射极饱和电压2.5V
    在25 C的连续集电极电流78A
    栅极—射极漏泄电流200nA
    功率400W
    封装/外壳HalfBridge1
    高度30.5mm
    长度94mm
    宽度34mm
    栅极/发射极最大电压20V
    工作温度-40°C ~ 150°C

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