| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | IGBT |
| 型号编码 | BSM150GB120DN2 |
| 说明 | IGBT HalfBridge2 106.4mm |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 10 |
| 最小包 | 10 |
| 现货 | 215 [库存更新时间：2025-04-19] |
| 配置 | HalfBridge |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 210A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 320nA |
| 功率 | 1250W |
| 封装/外壳 | HalfBridge2 |
| 高度 | 30mm |
| 长度 | 106.4mm |
| 宽度 | 61.4mm |
| 栅极/发射极最大电压 | 20V |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C |
IC普拉斯 元器件现货
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productsBSM150GB120DN2
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