参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | BSG0811NDATMA1 |
说明 | 功率MOSFET 8-PowerTDFN |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 5 |
最小包 | 5 |
现货 | 390 [库存更新时间:2025-04-08] |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 19A,41A |
FET功能 | 逻辑电平栅极,4.5V 驱动 |
FET类型 | 2 N 沟道(双)非对称型 |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 3 毫欧 @ 20A,10V |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250uA |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1100pF @ 12V |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.4nC @ 4.5V |
功率-最大值 | 2.5W |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
漏源电压(Vdss) | 25V |