参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSC500N20NS3GATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 TDSON 5.35mm 5.35x6.35x1.1mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-11]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	24A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 60µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1580pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	96W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	50 mOhm @ 22A、 10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TDSON-8
封装/外壳	PG-TDSON-8
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	24 A
漏源极电压Vds	200 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	50 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	20V
封装/外壳	TDSON
晶体管配置	单
引脚数目	8
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	96W
典型接通延迟时间	14 ns
典型关断延迟时间	28 ns
漏源极电压Vds	1190 pF @ 100 V
系列	BSC500N20NS3 G
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
宽度	6.35mm
长度	5.35mm
高度	1.10mm
正向跨导	37S
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	5.35 x 6.35 x 1.1mm
最高工作温度	+150 °C