参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSC130P03LSGAUMA1
说明	通用MOSFET   PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 TDSON 6.1mm 6.1x5.35x1.1mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	5
最小包	5
现货	390 [库存更新时间：2024-05-08]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	12A(Ta),22.5A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	73.1nC @ 10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3670pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta),69W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	13 毫欧 @ 22.5A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TDSON-8
封装/外壳	PG-TDSON-8
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	22.5 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.013 0hms
栅极电压Vgs	-25 V、+25 V
封装/外壳	TDSON
晶体管配置	单
引脚数目	8
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	69W
最高工作温度	+150 °C
长度	6.1mm
最低工作温度	-55 °C
高度	1.10mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向跨导	39S
正向二极管电压	1.2V
系列	OptiMOS P
封装/外壳	6.1 x 5.35 x 1.1mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	2760 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	43.5 ns
典型接通延迟时间	11.4 ns
宽度	5.35mm