| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | BSC110N15NS5ATMA1 |
| 说明 | 通用MOSFET PG-TDSON-8 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 290 [库存更新时间：2025-04-14] |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 150V |
| 连续漏极电流Id | 76A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 8V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.6V @ 91µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2770pF @ 75V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 125W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11m Ohms@38A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-TDSON-8 |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 75V |
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