参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSC010NE2LS
说明	功率MOSFET   5.9mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	5000
最小包	5000
现货	10286 [库存更新时间：2025-04-08]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4700pF @ 12V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds	25V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	64nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	100A
Rds On(Max)@Id,Vgs	1mΩ
栅极电压Vgs	10V
Qg-栅极电荷	64nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	96W
高度	1.27mm
长度	5.9mm
FET类型	N-Channel
宽度	5.15mm
正向跨导 - 最小值	85S
下降时间	4.4ns
上升时间	6ns
典型关闭延迟时间	34ns
典型接通延迟时间	6.7ns