参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSC010NE2LSI
说明	功率MOSFET   5.9mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	323 [库存更新时间：2025-12-09]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4200pF @ 12V
漏源极电压Vds	25V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	59nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	100A
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.05mΩ
栅极电压Vgs	10V
Qg-栅极电荷	59nC
配置	SingleQuadDrainTripleSource
Pd-功率耗散(Max)	96W
高度	1.27mm
长度	5.9mm
FET类型	N-Channel
宽度	5.15mm
正向跨导 - 最小值	80S
下降时间	4.6ns
上升时间	6.2ns
典型关闭延迟时间	32ns
典型接通延迟时间	6.3ns
工作温度	-55°C~150°C