参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | BCR198E6393HTSA1 |
说明 | 未分类 TO-236-3 PG-SOT23-3 |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 290 [库存更新时间:2025-04-01] |
FET类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基底(R1) | 47 kOhms |
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 5mA,5V |
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
频率 - 跃迁 | 190MHz |
功率 | 1/5W |
封装/外壳 | TO-236-3 |
封装/外壳 | PG-SOT23-3 |