参数 | 值 |
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产品 | 通用三极管 |
型号编码 | BCM856SH6433XTMA1 |
说明 | 通用三极管 6-VSSOP PG-SOT363-6 SOT-363(SC-88) 2x1.25x0.8mm 2.00mm |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 378 [库存更新时间:2025-04-02] |
FET类型 | 2 PNP(双) |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V |
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) |
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
频率 - 跃迁 | 250MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) |
封装/外壳 | 6-VSSOP |
封装/外壳 | PG-SOT363-6 |
FET类型 | P-Channel |
最大直流集电极电流 | 100 mA |
最大集电极-发射极电压 | 65 V |
封装/外壳 | SOT-363 (SC-88) |
最小直流电流增益 | 200 |
晶体管配置 | 隔离式 |
最大集电极-基极电压 | -80 V |
最大发射极-基极电压 | -5 V |
最大工作频率 | 250 MHz |
引脚数目 | 6 |
每片芯片元件数目 | 2 |
最大基极-发射极饱和电压 | 850 mV |
最高工作温度 | +150 °C |
高度 | 0.80mm |
封装/外壳 | 2 x 1.25 x 0.8mm |
最大集电极-发射极饱和电压 | 650 V |
宽度 | 1.25mm |
长度 | 2.00mm |