参数	值
产品	未分类
型号编码	BC850BLT1G
说明	未分类   SOT-23-3(TO-236) SOT-23 SOT-23-3
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	394 [库存更新时间：2025-04-02]
电流-集电极（Ic）（最大值）	100mA
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	600mV @ 5mA,100mA
电流-集电极截止（最大值）	15nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	200 @ 2mA,5V
功率	0.225W
频率-跃迁	100MHz
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳	SOT-23
FET类型	NPN
集电极最大允许电流Ic	0.1A
集电极_发射极击穿电压VCEO	45V
100 MHz	增益带宽积 fT
最高工作温度	+ 150 C
封装/外壳	SOT-23-3
系列	BC850BL
连续集电极电流	0.1 A
200	直流集电极/增益 hfe 最小值
最大功率消耗	225 mW
最低工作温度	- 55 C
标准包装数量	3000
配置	Single
FET类型	NPN
集电极-基极电压VCBO	50 V
集电极-发射极最大电压VCEO	45 V
发射机-基极电压VEBO	6 V
集电极-发射极饱和电压	0.6 V