产品 |
型号 |
品牌 |
参数 |
存储器 |
BR24G08FVJ-3AGTE2 |
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工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 速度:1MHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93G56NUX-3ATTR |
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工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFN裸露焊盘 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (128 x 16) 速度:3MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
M24M02-DRMN6TP |
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存储器 |
BR25H080F-2CE2 |
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写周期时间-字,页:4ms 存储器接口:SPI 存储器格式:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb(1K x 8) 封装/外壳:8-SOIC(0.173"",4.40mm 宽) 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 技术:EEPROM 时钟频率:10MHz 电压-供电:2.5V ~ 5.5V |
存储器 |
BRCC064GWZ-3E2 |
ROHM(罗姆) |
存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间 - 字,页:5ms 存储器接口:I²C 电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-XFBGA,CSPBGA |
存储器 |
BR25G256FVT-3GE2 |
ROHM(罗姆) |
存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:256Kb (32K x 8) 时钟频率:20MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP |
存储器 |
BR24T32FVM-WTR |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:32Kb (4K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR24T256FV-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-LSSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR24T256FVT-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR24T128FJ-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR24G512FVT-3AGE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:512Kb (64K x 8) 速度:1MHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR24G256FVT-3GE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR24G256FVT-3AGE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 速度:1MHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR24G256FV-3AGTE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-LSSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 速度:1MHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
GT24C16A-2GLI-TR |
Giantec(聚辰) |
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存储器 |
GT24C128B-2ZLI-TR |
Giantec(聚辰) |
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存储器 |
BR25G320FVT-3GE2 |
ROHM(罗姆) |
封装/外壳:8-TSSOP 存储容量:32kB 工作电源电压:1.6Vto5.5V 工作电源电流(mA):100nA 接口类型:SPI 数据保留:100Year 最大时钟频率:20MHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:1.6V 电源电流—最大值:2mA 组织:4kx8 工作温度:-40°C ~ 85°C |
存储器 |
BR24G64FJ-3AGTE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 速度:1MHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 存储容量:64kbit 工作电源电压:1.7Vto5.5V 工作电源电流(mA):2.5mA 接口类型:Serial,2-Wire,I2C 数据保留:40Year 最大时钟频率:1MHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:1.7V 电源电流—最大值:2.5mA 系列:BR24G64-3A 组织:8kx8 |
存储器 |
S3C2416X40-Y640 |
Samsung |
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存储器 |
BR24T02FJ-WSGE2 |
ROHM(罗姆) |
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存储器 |
BR24L04FV-WSE2 |
ROHM(罗姆) |
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存储器 |
P-MCS8-2-1 |
Infineon(英飞凌) |
Delivery Forms:Tape on Reel Product Description:mold Product Name:P-MCS8-2-1 Applications:Government identification Pitch:9.5mm ISO – Reference:ISO 7810 Dimensions:8.1 x 5.15mm Thickness:max. 250µm Contact Surface:Ag |
存储器 |
P-MCC2-2-1 |
Infineon(英飞凌) |
Delivery Forms:Tape on Reel Product Description:2 antenna contacts Product Name:P-MCC2-2-1 Applications:Transport Ticketing Pitch:4.75mm ISO – Reference:ISO 7816-1, ISO 7810, ISO 10373-1/-3 Dimensions:10.3 x 2.9mm Thickness:max. 330μm Contact Surface:Ag |
存储器 |
P-M2M4.7 |
Infineon(英飞凌) |
Delivery Forms:Tape on Reel Product Description:mold Product Name:P-M2M4.7 Applications:Industrial M2M, Consumer M2M Pitch:14.25mm ISO – Reference:ISO 7810 Dimensions:12.8 x 10.8mm Derivatives:Au surface Thickness:max. 600μm Contact Surface:Au |
存储器 |
GT24C512B-2GLI-TR |
Giantec(聚辰) |
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存储器 |
GT24C16A-2GLI-TR |
Giantec(聚辰) |
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存储器 |
GT24C512A-2UDLI-TR |
Giantec(聚辰) |
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存储器 |
GT24C32B-2ZLI-TR |
Giantec(聚辰) |
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存储器 |
GT24C512B-2UDLI-TR |
Giantec(聚辰) |
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存储器 |
GT25C512-3GLA2-TR |
Giantec(聚辰) |
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存储器 |
GT24C32B-2GLI-TR |
Giantec(聚辰) |
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存储器 |
GT24V256A-2UDLI-TR |
Giantec(聚辰) |
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存储器 |
GT24V256A-2CLI-TR |
Giantec(聚辰) |
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存储器 |
GT24C128B-2ZLI-TR |
Giantec(聚辰) |
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存储器 |
BR24G128FVT-3GSE2 |
ROHM(罗姆) |
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存储器 |
BR24G512FVT-3ASGE2 |
ROHM(罗姆) |
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存储器 |
BR24G128NUX-3ATSTR |
ROHM(罗姆) |
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存储器 |
BR24G02NUX-3STTR |
ROHM(罗姆) |
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存储器 |
BR24G64FVT-3GSE2 |
ROHM(罗姆) |
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存储器 |
BR24G32FVT-3ASGE2 |
ROHM(罗姆) |
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存储器 |
BR24L01ANUX-WTR |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFN裸露焊盘 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb (128 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR24S08FJ-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR24S08F-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR24S256F-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:256Kb (32K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR24S32F-WE2 |
ROHM(罗姆) |
系列:BR24S32F-W |
存储器 |
BR24T64FV-WE2 |
ROHM(罗姆) |
存储容量:64kbit 工作电源电压:1.6Vto5.5V 工作电源电流(mA):2mA 接口类型:Serial,2-Wire,I2C 数据保留:40Year 最大时钟频率:400kHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:1.6V 电源电流—最大值:2mA 系列:BR24T64-W 组织:8kx8 工作温度:-40°C ~ 85°C |
存储器 |
BR24T32FVJ-WE2 |
ROHM(罗姆) |
存储容量:32kbit 工作电源电压:1.6Vto5.5V 工作电源电流(mA):2mA 接口类型:Serial,2-Wire,I2C 数据保留:40Year 最大时钟频率:400kHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:1.6V 电源电流—最大值:2mA 系列:BR24T32-W 组织:4kx8 工作温度:-40°C ~ 85°C |
存储器 |
BR24L08F-WE2 |
ROHM(罗姆) |
存储容量:8kbit 宽度:4.4mm 工作电源电压:1.8V,5.5V 工作电源电流(mA):2mA 接口类型:Serial,2-Wire,I2C 数据保留:40Year 最大时钟频率:0.1MHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:1.8V 系列:BR24L08F-W 组织:1kx8 编程电压:1.8Vto5.5V 访问时间:3500ns 长度:5mm 高度:1.50mm 工作温度:-40°C ~ 85°C |
存储器 |
BR93L56FVT-WE2 |
ROHM(罗姆) |
存储容量:2kbit 宽度:4.4mm 工作电源电压:2.5V,3.3V,5V 工作电源电流(mA):4.5mA 接口类型:Serial,3-Wire,Microwire 数据保留:40Year 最大时钟频率:2MHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:1.8V 组织:128x16 编程电压:1.8Vto5.5V 访问时间:200ns 长度:3mm 高度:1mm 工作温度:-40°C ~ 85°C |
存储器 |
BR24L04F-WSE2 |
ROHM(罗姆) |
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存储器 |
BR93L46-W |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-DIP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb (64 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BU9833GUL-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-uFBGA,CSPBGA 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BU9897GUL-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:11-uFBGA,CSPBGA 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:128Kb (16K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BU9880GUL-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-uFBGA,CSPBGA 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:64Kb (8K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BU99022NUX-3TR |
ROHM(罗姆) |
存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:4Kb (256 x 8 x 2) 时钟频率:400kHz 写周期时间 - 字,页:5ms 存储器接口:I²C 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFN裸露焊盘 |
存储器 |
BU9832GUL-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uFBGA,CSPBGA 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 速度:5MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BU9889GUL-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-uFBGA,CSPBGA 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BU9882FV-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:14-LSSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (128 x 8 x 2) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BU9844GUL-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-uFBGA,CSPBGA 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93L86RFJ-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (1K x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93L76RFV-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-LSSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (512 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93L66RFV-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-LSSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (256 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93L66FV-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-LSSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (256 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93H86RFVM-2CTR |
ROHM(罗姆) |
存储容量:16kB 封装/外壳:MSOP-8 工作电源电压:2.5Vto5.5V 接口类型:Serial,3-Wire,Microwire 数据保留:100Year 最大时钟频率:2MHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:2.5V 电源电流—最大值:3mA 组织:1kx16 工作温度:-40°C ~ 125°C |
存储器 |
BR93H66RF-2LBH2 |
ROHM(罗姆) |
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存储器 |
BR93H56RFJ-WCE2 |
ROHM(罗姆) |
存储容量:2kB 封装/外壳:SOP-J8 工作电源电压:2.7Vto5.5V 接口类型:Serial,3-Wire,Microwire 数据保留:40Year 最大时钟频率:1.25MHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:2.7V 电源电流—最大值:3mA 组织:128x16 工作温度:-40°C ~ 125°C |
存储器 |
BR93G86FVM-3BGTTR |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (1K x 16) 速度:3MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93G86F-3GTE2 |
ROHM(罗姆) |
封装/外壳:8-SOIC |
存储器 |
BR93G86F-3BGTE2 |
ROHM(罗姆) |
封装/外壳:8-SOIC 存储容量:16kB 工作电源电压:1.7Vto5.5V 工作电源电流(mA):2uA 接口类型:3-Wire/MicroWire 数据保留:40Year 最大时钟频率:3MHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:1.7V 电源电流—最大值:3mA 组织:1kx16 工作温度:-40°C ~ 85°C |
存储器 |
BR93G86F-3AGTE2 |
ROHM(罗姆) |
存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:16Kb (1K x 16) 时钟频率:3MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
存储器 |
BR93G76FJ-3AGTE2 |
ROHM(罗姆) |
|
存储器 |
BR93G66NUX-3TTR |
ROHM(罗姆) |
封装/外壳:8-uFDFN裸露焊盘 |
存储器 |
BR93G66FVJ-3AGTE2 |
ROHM(罗姆) |
封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP |
存储器 |
BR93G56FVM-3BGTTR |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (128 x 16) 速度:3MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93G56FVJ-3GTE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (256 x 8,128 x 16) 速度:3MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93G46FVT-3BGE2 |
ROHM(罗姆) |
|
存储器 |
BR93A46RFVT-WME2 |
ROHM(罗姆) |
|
存储器 |
BR93A46RFVM-WMTR |
ROHM(罗姆) |
|
存储器 |
BU9829GUL-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:9-uFBGA,WLCSP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (2K x 8) 速度:5MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.6 V ~ 3.6 V |
存储器 |
BRCF016GWZ-3E2 |
ROHM(罗姆) |
封装/外壳:4-XFBGA,CSPBGA |
存储器 |
BRCD064GWZ-3E2 |
ROHM(罗姆) |
|
存储器 |
BR93L86RFVJ-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (1K x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93L76RF-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (512 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93L56FV-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-LSSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (128 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93L46RFVJ-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:1Kb (64 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93H86RFJ-WCE2 |
ROHM(罗姆) |
存储容量:16kB 封装/外壳:SOP-J8 工作电源电压:2.7Vto5.5V 接口类型:Serial,3-Wire,Microwire 数据保留:40Year 最大时钟频率:1.25MHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:2.7V 电源电流—最大值:3mA 组织:1kx16 工作温度:-40°C ~ 125°C |
存储器 |
BR93G86FVT-3AGE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (1K x 16) 速度:3MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93G76NUX-3ATTR |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFN裸露焊盘 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (512 x 16) 速度:3MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BRCC064GWZ-3E2 |
ROHM(罗姆) |
存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:64Kb (8K x 8) 时钟频率:400kHz 写周期时间 - 字,页:5ms 存储器接口:I²C 电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-XFBGA,CSPBGA |
存储器 |
BR93L86RFVT-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:16Kb (1K x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BRCH064GWZ-3E2 |
ROHM(罗姆) |
|
存储器 |
BR93L76RFJ-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (512 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93L66RFVT-WE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:4Kb (256 x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93H66RF-2CE2 |
ROHM(罗姆) |
存储容量:4kB 封装/外壳:SOP-8 工作电源电压:2.5Vto5.5V 接口类型:Serial,3-Wire,Microwire 数据保留:100Year 最大时钟频率:2MHz 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:2.5V 电源电流—最大值:3mA 组织:256x16 工作温度:-40°C ~ 125°C |
存储器 |
BR93G86FJ-3GTE2 |
ROHM(罗姆) |
存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:16Kb (2K x 8,1K x 16) 时钟频率:3MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
存储器 |
BR93G76FVM-3GTTR |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8,512 x 16) 速度:3MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93G76FVJ-3GTE2 |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:8Kb (1K x 8,512 x 16) 速度:3MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93G56NUX-3BTTR |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFN裸露焊盘 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (128 x 16) 速度:3MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BR93G56NUX-3ATTR |
ROHM(罗姆) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-uFDFN裸露焊盘 格式 - 存储器:EEPROM 存储器类型:非易失 存储容量:2Kb (128 x 16) 速度:3MHz 接口:Microwire 3 线串行 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V |
存储器 |
BRCB032GWZ-3E2 |
ROHM(罗姆) |
存储器类型:非易失 存储器格式:EEPROM 存储容量:32Kb (4K x 8) 时钟频率:1MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 存储器接口:I²C 电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-XFBGA,CSPBGA |