参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AUIRFN8458TR |
说明 | 功率MOSFET 6mm |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 460 [库存更新时间:2025-04-19] |
漏源极电压Vds | 40V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 25µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 33nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1060pF @ 25V |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
通道数量 | 2Channel |
连续漏极电流Id | 43A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 10mΩ |
栅极电压Vgs | 20V |
Qg-栅极电荷 | 22nC |
配置 | Dual |
Pd-功率耗散(Max) | 34W |
高度 | 1.2mm |
长度 | 6mm |
FET类型 | 2N-Channel |
宽度 | 5mm |
正向跨导 - 最小值 | 56S |
下降时间 | 19ns |
上升时间 | 71ns |
典型关闭延迟时间 | 11ns |
典型接通延迟时间 | 9.7ns |