参数	值
产品	未分类
型号编码	AUIRFB3806
说明	未分类   TO-220AB TO-220-3 TO-220AB 10.66x4.82x16.51mm 10.66mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	401 [库存更新时间：2025-04-19]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	43A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	30nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1150pF @ 50V
功率	71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	15.8 毫欧 @ 25A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	43 A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	15.8 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220AB
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	71 W
高度	16.51mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.66 x 4.82 x 16.51mm
宽度	4.82mm
系列	HEXFET
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1150 pF@ 50 V
典型关断延迟时间	49 ns
典型接通延迟时间	6.3 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
长度	10.66mm