参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | APT30M60J |
说明 | 通用MOSFET SOT-227-4,miniBLOC SOT-227 |
品牌 | Microsemi(美高森美) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 884 [库存更新时间:2025-04-02] |
系列 | POWER MOS 8™ |
连续漏极电流Id | 31A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 2.5mA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 215nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 5890pF @ 25V |
栅极电压Vgs | ±30V |
Pd-功率耗散(Max) | 355W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 150m Ohms@21A,10V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
封装/外壳 | SOT-227 |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 600V |
连续漏极电流Id | 31A |