参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AOWF11S60 |
说明 | 功率MOSFET TO-262F |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 1000 |
最小包 | 1000 |
现货 | 2376 [库存更新时间:2025-04-02] |
封装/外壳 | TO-262F |
FET类型 | N-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | 600V |
栅极电压Vgs | 30V |
连续漏极电流Id | 11A |
Pd-功率耗散(Max) | 28W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 399mΩ@10V |
VGS(th) | 4.1 |
Ciss(pF) | 545 |
Coss(pF) | 37.3 |
Crss(pF) | 1.42 |
Qg*(nC) | 11* |
Qgd(nC) | 3.8 |
Td(on)(ns) | 20 |
Td(off)(ns) | 59 |
Trr(ns) | 250 |
Qrr(nC) | 3300 |