参数	值
产品	未分类
型号编码	AOWF2606
说明	未分类   TO-262F TO-262-3整包,I²Pak TO262F
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2376 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	13A(Ta),51A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	75nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4050pF @ 30V
功率	2.1W(Ta),33.3W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.5 毫欧 @ 20A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	TO-262F
封装/外壳	TO-262-3 整包,I²Pak
安装	THT
封装/外壳	TO262F
开启状态电阻	6.5m Ohms
FET类型	N-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±20V
漏极-源极电压	60V
漏极电流	36.5A
耗电	16.7W