参数	值
产品	未分类
型号编码	AOTF11N60L
说明	未分类   TO-220-3F TO-220-3整包 TO220F
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2376 [库存更新时间：2024-05-24]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	11A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	37nC @ 10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1990pF @ 25V
功率	37.9W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	650 毫欧 @ 5.5A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3F
封装/外壳	TO-220-3 整包
安装	THT
封装/外壳	TO220F
开启状态电阻	650m Ohms
FET类型	N-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±30V
漏极-源极电压	600V
漏极电流	8A
耗电	37.9W