参数	值
产品	未分类
型号编码	AOTF11C60P
说明	未分类   TO-220-3F TO-220-3整包 TO220F
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	50
最小包	50
现货	476 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	11A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	50nC @ 10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2333pF @ 100V
功率	50W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	400 毫欧 @ 5.5A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3F
封装/外壳	TO-220-3 整包
安装	THT
封装/外壳	TO220F
开启状态电阻	400m Ohms
FET类型	N-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±30V
漏极-源极电压	600V
漏极电流	9A