参数	值
产品	IGBT晶体管
型号编码	AOTF10B60D
说明	IGBT晶体管   TO220F
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2376 [库存更新时间：2024-04-25]
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	40A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	1.8V @ 15V,10A
功率	42W
开关能量	260µJ(开),70µJ(关)
输入类型	标准
25°C 时 Td（开/关）值	10ns/72ns
测试条件	400V,10A,30 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	105ns
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
关闭开关能量	0.16mJ
关闭时间	80.8ns
包装类型	管
安装	THT
封装/外壳	TO220F
开启开关能量	0.35mJ
开启时间	25ns
FET类型	IGBT
栅极 - 发射极电压	±20V
耗电	16.7W
脉冲集电极电流	40A
集电极-发射极电压	600V
集电极-发射极饱和电压	1.53V
集电极电流	10A