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    AOT5B60D

    品牌:AOS(万国半导体)

    产品:IGBT晶体管

    库存:2376 Pcs [库存更新时间:2024-04-26]

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    产品概述
    参数
    产品IGBT晶体管
    型号编码AOT5B60D
    说明IGBT晶体管   TO220
    品牌AOS(万国半导体)
    起订量1000
    最小包1000
    现货2376 [库存更新时间:2024-04-26]
    电压 - 集射极击穿(最大值)600V
    电流 - 集电极(Ic)(最大值)23A
    脉冲电流 - 集电极 (Icm)20A
    不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)1.8V @ 15V, 5A
    功率82.4W
    开关能量140µJ(开),40µJ(关)
    输入类型标准
    25°C 时 Td(开/关)值12ns/83ns
    测试条件400V,5A,60 欧姆,15V
    反向恢复时间(trr)98ns
    工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
    关闭开关能量0.04mJ
    关闭时间95ns
    包装类型
    安装THT
    封装/外壳TO220
    开启开关能量0.14mJ
    开启时间27ns
    FET类型IGBT
    栅极 - 发射极电压±20V
    耗电41.2W
    脉冲集电极电流20A
    集电极-发射极电压600V
    集电极-发射极饱和电压1.55V
    集电极电流5A

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