参数	值
产品	IGBT晶体管
型号编码	AOT20B65M1
说明	IGBT晶体管   TO220
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2376 [库存更新时间：2025-04-03]
电压 - 集射极击穿（最大值）	650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	60A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	2.15V @ 15V,20A
功率	227W
开关能量	470µJ(开),270µJ(关)
输入类型	标准
25°C 时 Td（开/关）值	26ns/122ns
测试条件	400V,20A,15 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	322ns
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
关闭开关能量	0.27mJ
关闭时间	135ns
包装类型	管
安装	THT
封装/外壳	TO220
开启开关能量	0.47mJ
开启时间	51ns
FET类型	IGBT
栅极 - 发射极电压	±30V
耗电	114W
脉冲集电极电流	60A
集电极-发射极电压	650V
集电极-发射极饱和电压	1.7V
集电极电流	20A