参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AOT190A60L |
说明 | 功率MOSFET TO-220 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 342 [库存更新时间:2025-04-12] |
封装/外壳 | TO-220 |
FET类型 | N-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | 600V |
栅极电压Vgs | 20V |
连续漏极电流Id | 20A |
Pd-功率耗散(Max) | 208W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 190mΩ@10V |
VGS(th) | 4.6 |
Ciss(pF) | 1935 |
Coss(pF) | 55 |
Crss(pF) | 1.25 |
Qg*(nC) | 34 |
Qgd(nC) | 11 |
Trr(ns) | 341 |
Qrr(nC) | 6.8 |