| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | AOSP21357 |
| 说明 | 功率MOSFET SO-8 |
| 品牌 | AOS(万国半导体) |
| 现货 | 342 [库存更新时间：1970-01-01] |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| FET类型 | P-Channel |
| ESD Diode | No |
| Schottky Diode | No |
| 漏源极电压Vds | -30V |
| 栅极电压Vgs | 25V |
| 连续漏极电流Id | -16A |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.5mΩ@10V |
| Rds On(Max)@4.5V | 13mΩ |
| VGS(th) | -2.3 |
| Ciss(pF) | 2830 |
| Coss(pF) | 430 |
| Crss(pF) | 365 |
| Qg*(nC) | 25 |
| Qgd(nC) | 12 |
| Trr(ns) | 62 |
| Qrr(nC) | 32 |
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