参数	值
产品	未分类
型号编码	AOT12N65
说明	未分类   TO-220 TO-220-3 TO220
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2376 [库存更新时间：2024-05-08]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	12A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	48nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2150pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
功率	278W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	720 毫欧 @ 6A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220
封装/外壳	TO-220-3
安装	THT
封装/外壳	TO220
开启状态电阻	720m Ohms
FET类型	N-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±30V
漏极-源极电压	650V
漏极电流	7.7A