参数 | 值 |
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产品 | IGBT晶体管 |
型号编码 | AOT10B60D |
说明 | IGBT晶体管 TO220 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 1000 |
最小包 | 1000 |
现货 | 2376 [库存更新时间:2025-04-03] |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 20A |
脉冲电流 - 集电极 (Icm) | 40A |
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V,10A |
功率 | 163W |
开关能量 | 260µJ(开),70µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
25°C 时 Td(开/关)值 | 10ns/72ns |
测试条件 | 400V,10A,30 欧姆,15V |
反向恢复时间(trr) | 105ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
关闭开关能量 | 0.07mJ |
关闭时间 | 80.8ns |
包装类型 | 管 |
安装 | THT |
封装/外壳 | TO220 |
开启开关能量 | 0.26mJ |
开启时间 | 25ns |
FET类型 | IGBT |
栅极 - 发射极电压 | ±20V |
耗电 | 82W |
脉冲集电极电流 | 40A |
集电极-发射极电压 | 600V |
集电极-发射极饱和电压 | 1.53V |
集电极电流 | 10A |