参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	AOT12N60
说明	功率MOSFET   TO220
起订量	0
最小包	0
现货	435 [库存更新时间：2024-05-01]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	12A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	50nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2100pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	550mΩ@6A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO220
Pd-功率耗散(Max)	278W