参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AON5820 |
说明 | 功率MOSFET DFN2x5 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 5000 |
最小包 | 5000 |
现货 | 10241 [库存更新时间:2025-04-08] |
封装/外壳 | DFN 2x5 |
FET类型 | N-Channel |
ESD Diode | Yes |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | 20V |
栅极电压Vgs | 12V |
连续漏极电流Id | 10A |
Pd-功率耗散(Max) | 1.7W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.5mΩ@4.5V |
Rds On(Max)@2.5V | 13mΩ |
VGS(th) | 1 Ohms |
Ciss(pF) | 1255 |
Coss(pF) | 200 |
Crss(pF) | 168 |
Qg*(nC) | 12.5 |
Qgd(nC) | 6.5 |
Td(on)(ns) | 1.1 |
Td(off)(ns) | 7 |
Trr(ns) | 11 |
Qrr(nC) | 15 |