参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AON5816 |
说明 | 功率MOSFET DFN2x5 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 263 [库存更新时间:2025-04-03] |
封装/外壳 | DFN 2x5 |
FET类型 | N-Channel |
ESD Diode | Yes |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | 20V |
栅极电压Vgs | 12V |
连续漏极电流Id | 12A |
Pd-功率耗散(Max) | 1.7W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.5mΩ@4.5V |
Rds On(Max)@2.5V | 8.5mΩ |
VGS(th) | 1.3 |
Ciss(pF) | 2170 |
Coss(pF) | 330 |
Crss(pF) | 270 |
Qg*(nC) | 22 Ohms |
Qgd(nC) | 6 |
Trr(ns) | 23 |
Qrr(nC) | 45 |