| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | AON5810 |
| 说明 | 功率MOSFET 6-DFN-EP(2x5) |
| 品牌 | AOS(万国半导体) |
| 起订量 | 5000 |
| 最小包 | 5000 |
| 现货 | 10200 [库存更新时间：2024-05-02] |
| FET类型 | 2N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 7.7A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ@7.7A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13.1nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1360pF @ 10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 6-DFN-EP(2x5) |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.6W |
IC普拉斯 元器件现货
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